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小兒腦癱的引發(fā)因素是什么

小兒腦癱的引發(fā)因素是什么

小兒腦癱的引發(fā)因素是什么呢?這個問題在生活中是很多家長朋友們都想要了解的,因為小兒腦癱這種疾病的發(fā)生給每個孩子帶來的傷害是比較嚴(yán)重的,只有更多了解引起小兒腦癱的原因還可以因病治療,同時在生活中也可以做好預(yù)防工作,那么小兒腦癱的引發(fā)因素是什么?

一、遺傳因素:

1、當(dāng)染色體出現(xiàn)數(shù)目畸變或結(jié)構(gòu)畸變、基因突變或先天性代謝缺陷時就可產(chǎn)生先天性畸形,表現(xiàn)出個體的發(fā)育異常。近年來的研究認(rèn)為,遺傳因素在腦性癱瘓中影響越來越大。某些患兒可追溯出家族遺傳病史,在同輩或上輩的母系及父系家族中有腦癱、智力障礙或先天畸形等。

2、妊娠期因素母體遭受感染,化學(xué)因素許多藥物和環(huán)境污染物對胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時間等有關(guān),也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多,常見的有:抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機汞、酒精等。家庭裝修中的甲醛、苯類對人類危害越來越普遍。氨基糖苷類抗生素應(yīng)用產(chǎn)生的毒性損害很常見。

3、胚胎在母體宮內(nèi)發(fā)育時,極易受外界環(huán)境因素如物理、化學(xué)或生物因子的影響,尤其對8周以內(nèi)的胚胎更為敏感,引起胚胎的分化發(fā)育障礙,產(chǎn)生先天性畸形。

二、物理因素:

1、放射線x線和放射性同位素的α、β、γ射線對人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。家電、手機、計算機的廣泛應(yīng)用,對人類的傷害越來越大,特別是胚胎發(fā)育期。

2、高溫高溫對早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20~28天內(nèi),孕婦如發(fā)燒至39℃以上時,胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形,而在妊娠4~14周時孕婦接觸高溫后,胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯,肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

相信大家通過以上文章內(nèi)容介紹,應(yīng)該對于小兒腦癱的引發(fā)原因,也都有了更多了解和認(rèn)識,大家在生活中有更多了解引起小兒腦癱的原因,才會在生活中做好預(yù)防工作,希望這些因素能夠為更多的患者家長朋友帶來幫助。

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